在半导体制造工艺上，Intel之前是绝大的老大，领先三星、TSMC、GlobalFoundries公司一两年（Intel自己的说法是领先友商三年半），但是在14nm工艺上，Intel的Tick-Tock钟摆战略失效，升级换代周期从2年延长到2.5年了，今年下半年的主力还是14nm工艺的Kabylake，10nm Cannonlake延期到了2017年Q3季度，但是这还不算完，7nm工艺可能还要晚一些，恐怕要等到2020年才能量产了，10nm工艺节点至少会有Cannonlake、Icelake、Tigerlake三代产品。
在半导体工艺上，三星、TSMC这两家最为活跃，FinFET工艺之前他们比Intel的工艺落后一两代，但他们现在比Intel高调多了，TSMC昨天还宣称2018年量产7nm工艺，2020上半年就能量产5nm工艺，三星虽然没有TSMC这么“夸张”，不过去年底也制造出了10nm SRAM缓存，7nm也在路上了。
半导体制造工艺非常依赖材料、电子、物理等基础科学，这都需要长时间的技术积淀，虽然不能完全排除三星、TSMC获得黑科技的可能性，但小编其实并不怎么相信三星和TSMC两家新工艺的进度，几无可能一两年内就在工艺研发上面超过Intel公司，而且实验室生产出新工艺跟大规模量产新工艺并不是一回事。
再回到Intel上来，他们2年升级一次新工艺的计划已经失效了，由于10nm之后半导体工艺越来越复杂，进度不可避免地要推迟，新工艺处理器升级周期也要拉长，简单梳理一下就是：
2013年：Haswell架构，22nm 3D晶体管工艺
2014年：Broadwell架构，14nm 3D晶体管工艺
2015年：Broadwell、Skylake架构，14nm 3D晶体管工艺
2016年：Kabylake架构，14nm 3D晶体管工艺
以上是已经确定的了，今年下半年还是14nm工艺，不过架构从skylake升级到kabylake，CPU架构小改，GPU可能会有明显升级，之前有消息提到会引入GT4级别核显，eDRAM缓存容量容量翻倍到256MB。
2017年：Cannonlake架构，10nm工艺
2018年：Icelake架构，10nm工艺
2019年：Tigerlake架构，10nm工艺
明年Q3季度发布首款10nm工艺的Cannonlake架构处理器也是之前确定的了，再往后是Icelake，之前有消息提到Intel在Haswell上引入、Skylake上去除的FIVR模块可能会重新回归，用在Icelkae处理器上，预计2018年下半年发布。
如果届时7nm工艺还不够成熟，传闻称Intel还准备了第三款10nm工艺的处理器Tigerlake，预计会在2019年发布。
这么算来，7nm工艺最可能的时间是要等到2020年了，不过现在连产品名称还没有呢。
